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NXH25C120L2C2SG

Référence fabricant:	NXH25C120L2C2SG
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description:	IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG
Feuilles de données:	NXH25C120L2C2SG Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type IGBT	-
Configuration	Three Phase Inverter with Brake
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)	1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	25 A
Puissance - Max	20 mW
Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 25A
Courant - Coupure du collecteur (max)	250 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	6.2 nF @ 20 V
Saisir	Three Phase Bridge Rectifier
Thermistance NTC	Yes
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Package de l'appareil fournisseur	26-DIP

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