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ROHM Semiconductor / IMD16AT108

IMD16AT108

Référence fabricant: IMD16AT108
Fabricant: ROHM Semiconductor
Partie de la description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Feuilles de données: IMD16AT108 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de transistor1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA, 500mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)50V
Résistance - Base (R1)100kOhms, 2.2kOhms
Résistance - Base émetteur (R2)22kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
Courant - Coupure du collecteur (max)-
Fréquence - Transition250MHz
Puissance - Max300mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisseSC-74, SOT-457
Package de l'appareil fournisseurSMT6
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État des stocks: 302

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