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ROHM Semiconductor / EMG8T2R

EMG8T2R

Référence fabricant: EMG8T2R
Fabricant: ROHM Semiconductor
Partie de la description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Feuilles de données: EMG8T2R Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de transistor2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)50V
Résistance - Base (R1)4.7kOhms
Résistance - Base émetteur (R2)47kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max)500nA
Fréquence - Transition250MHz
Puissance - Max150mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisse6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Package de l'appareil fournisseurEMT5
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État des stocks: 17703

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