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EMH6T2R

Référence fabricant:	EMH6T2R
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Feuilles de données:	EMH6T2R Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Not For New Designs
Type de transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)	50V
Résistance - Base (R1)	47kOhms
Résistance - Base émetteur (R2)	47kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max)	500nA
Fréquence - Transition	250MHz
Puissance - Max	150mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	SOT-563, SOT-666
Package de l'appareil fournisseur	EMT6

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