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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / RN1907,LF

RN1907,LF

Référence fabricant: RN1907,LF
Fabricant: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Feuilles de données: RN1907,LF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceObsolete
Type de transistor2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)50V
Résistance - Base (R1)10kOhms
Résistance - Base émetteur (R2)47kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max)500nA
Fréquence - Transition250MHz
Puissance - Max200mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisse6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de l'appareil fournisseurUS6
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