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ROHM Semiconductor / DTB123ESTP

DTB123ESTP

Référence fabricant: DTB123ESTP
Fabricant: ROHM Semiconductor
Partie de la description: TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Feuilles de données: DTB123ESTP Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Box (TB)
État de la pièceObsolete
Type de transistorPNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)500 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)50 V
Résistance - Base (R1)2.2 kOhms
Résistance - Base émetteur (R2)2.2 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce39 @ 50mA, 5V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max)500nA
Fréquence - Transition200 MHz
Puissance - Max300 mW
Type de montageThrough Hole
Paquet / caisseSC-72 Formed Leads
Package de l'appareil fournisseurSPT
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: Expédition le jour même

Le minimum: 1

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