NXP Semiconductors / PDTD113ZS,126
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PDTD113ZS,126
| Référence fabricant: | PDTD113ZS,126 |
| Fabricant: | NXP Semiconductors |
| Partie de la description: | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
| Feuilles de données: | PDTD113ZS,126 Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | - |
| Paquet | Tape & Box (TB) |
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500 mA |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max) | 50 V |
| Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
| Résistance - Base émetteur (R2) | 10 kOhms |
| Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Courant - Coupure du collecteur (max) | 500nA |
| Fréquence - Transition | - |
| Puissance - Max | 500 mW |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Package de l'appareil fournisseur | TO-92-3 |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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