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DTD123TSTP

Référence fabricant:	DTD123TSTP
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Feuilles de données:	DTD123TSTP Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Obsolete
Type de transistor	NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	500 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)	40 V
Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms
Résistance - Base émetteur (R2)	-
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce	100 @ 50mA, 5V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max)	500nA (ICBO)
Fréquence - Transition	200 MHz
Puissance - Max	300 mW
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	SC-72 Formed Leads
Package de l'appareil fournisseur	SPT

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