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DTD513ZETL

Référence fabricant:	DTD513ZETL
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
Feuilles de données:	DTD513ZETL Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de transistor	NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	500 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)	12 V
Résistance - Base (R1)	1 kOhms
Résistance - Base émetteur (R2)	10 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce	140 @ 100mA, 2V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 5mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (max)	500nA
Fréquence - Transition	260 MHz
Puissance - Max	150 mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	SC-75, SOT-416
Package de l'appareil fournisseur	EMT3

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