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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / RN2310(TE85L,F)

RN2310(TE85L,F)

Référence fabricant: RN2310(TE85L,F)
Fabricant: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Feuilles de données: RN2310(TE85L,F) Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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Séries-
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceActive
Type de transistorPNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)50 V
Résistance - Base (R1)4.7 kOhms
Résistance - Base émetteur (R2)-
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 5V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max)100nA (ICBO)
Fréquence - Transition200 MHz
Puissance - Max100 mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisseSC-70, SOT-323
Package de l'appareil fournisseurUSM
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