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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / NSVMMUN2230LT1G

NSVMMUN2230LT1G

Référence fabricant: NSVMMUN2230LT1G
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description: TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
Feuilles de données: NSVMMUN2230LT1G Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceActive
Type de transistorNPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)50 V
Résistance - Base (R1)1 kOhms
Résistance - Base émetteur (R2)1 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce3 @ 5mA, 10V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic250mV @ 5mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max)500nA
Fréquence - Transition-
Puissance - Max246 mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de l'appareil fournisseurSOT-23-3 (TO-236)
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