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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FJV3107RMTF

FJV3107RMTF

Référence fabricant: FJV3107RMTF
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Feuilles de données: FJV3107RMTF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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Séries-
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceObsolete
Type de transistorNPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)50 V
Résistance - Base (R1)22 kOhms
Résistance - Base émetteur (R2)47 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max)100nA (ICBO)
Fréquence - Transition250 MHz
Puissance - Max200 mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de l'appareil fournisseurSOT-23-3 (TO-236)
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