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DTD713ZMT2L

Référence fabricant:	DTD713ZMT2L
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Feuilles de données:	DTD713ZMT2L Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Not For New Designs
Type de transistor	NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	200 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)	30 V
Résistance - Base (R1)	1 kOhms
Résistance - Base émetteur (R2)	10 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce	140 @ 100mA, 2V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max)	500nA
Fréquence - Transition	260 MHz
Puissance - Max	150 mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	SOT-723
Package de l'appareil fournisseur	VMT3

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