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FDMQ86530L

Référence fabricant:	FDMQ86530L
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
Feuilles de données:	FDMQ86530L Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	GreenBridge™ PowerTrench®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Fonction FET	Logic Level Gate
Vidange à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2295pF @ 30V
Puissance - Max	1.9W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	12-WDFN Exposed Pad
Package de l'appareil fournisseur	12-MLP (5x4.5)

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	FDMQ8203 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
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