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NTE2960

Référence fabricant:	NTE2960
Fabricant:	NTE Electronics, Inc.
Partie de la description:	MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT
Feuilles de données:	NTE2960 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bag
État de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel
Fonction FET	Standard
Vidange à la tension de source (Vdss)	900V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1380pF @ 25V
Puissance - Max	40W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack
Package de l'appareil fournisseur	TO-220 Full Pack

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