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Référence fabricant: | SSM6N815R,LF |
Fabricant: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Partie de la description: | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF |
Feuilles de données: | SSM6N815R,LF Feuilles de données |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
État des stocks: | En stock |
Expédier de: | Hong Kong |
Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Taper | La description |
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Séries | U-MOSVIII-H |
Paquet | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
État de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Fonction FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
Vidange à la tension de source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 2A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 15V |
Puissance - Max | 1.8W (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Flat Leads |
Package de l'appareil fournisseur | 6-TSOP-F |
État des stocks: 314
Le minimum: 1
Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
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