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ALD110908ASAL

Référence fabricant:	ALD110908ASAL
Fabricant:	Advanced Linear Devices, Inc.
Partie de la description:	MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Feuilles de données:	ALD110908ASAL Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	EPAD®
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Fonction FET	Standard
Vidange à la tension de source (Vdss)	10.6V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500Ohm @ 4.8V
Vgs (th) (Max) @ Id	810mV @ 1µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2.5pF @ 5V
Puissance - Max	500mW
Température de fonctionnement	0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de l'appareil fournisseur	8-SOIC

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