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BSO330N02KG

Référence fabricant:	BSO330N02KG
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	N-CHANNEL POWER MOSFET
Feuilles de données:	BSO330N02KG Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	OptiMOS™
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	Logic Level Gate
Vidange à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	4.9nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	730pF @ 10V
Puissance - Max	1.4W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de l'appareil fournisseur	PG-DSO-8

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