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Texas Instruments / TPS1120DR

TPS1120DR

Référence fabricant: TPS1120DR
Fabricant: Texas Instruments
Partie de la description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Feuilles de données: TPS1120DR Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FET2 P-Channel (Dual)
Fonction FETLogic Level Gate
Vidange à la tension de source (Vdss)15V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C1.17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs5.45nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Puissance - Max840mW
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de l'appareil fournisseur8-SOIC
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