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ROHM Semiconductor / SH8J31GZETB

SH8J31GZETB

Référence fabricant: SH8J31GZETB
Fabricant: ROHM Semiconductor
Partie de la description: 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
Feuilles de données: SH8J31GZETB Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FET2 P-Channel (Dual)
Fonction FET-
Vidange à la tension de source (Vdss)60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2500pF @ 10V
Puissance - Max2W
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de l'appareil fournisseur8-SOP
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