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IR (Infineon Technologies) / BSC150N03LDGATMA1

BSC150N03LDGATMA1

Référence fabricant: BSC150N03LDGATMA1
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Feuilles de données: BSC150N03LDGATMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesOptiMOS™
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FET2 N-Channel (Dual)
Fonction FETLogic Level Gate
Vidange à la tension de source (Vdss)30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs13.2nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 15V
Puissance - Max26W
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisse8-PowerVDFN
Package de l'appareil fournisseurPG-TDSON-8-4
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État des stocks: 16775

Le minimum: 1

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