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Référence fabricant: | HAT2218R-EL-E |
Fabricant: | Rochester Electronics |
Partie de la description: | POWER, 7.5A, 30V, N-CH MOSFET |
Feuilles de données: | HAT2218R-EL-E Feuilles de données |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
État des stocks: | En stock |
Expédier de: | Hong Kong |
Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Taper | La description |
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Séries | - |
Paquet | Bulk |
État de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Fonction FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Vidange à la tension de source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 7.5A, 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 3.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
Puissance - Max | 1.5W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package de l'appareil fournisseur | 8-SOP |
État des stocks: 3981
Le minimum: 1
Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
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