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SI4816DY-T1-E3

Référence fabricant:	SI4816DY-T1-E3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Feuilles de données:	SI4816DY-T1-E3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	LITTLE FOOT®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET	Logic Level Gate
Vidange à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	5.3A, 7.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Puissance - Max	1W, 1.25W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de l'appareil fournisseur	8-SO

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