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PMWD16UN,518

Référence fabricant:	PMWD16UN,518
Fabricant:	NXP Semiconductors
Partie de la description:	MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
Feuilles de données:	PMWD16UN,518 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchMOS™
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	Logic Level Gate
Vidange à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	9.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	23.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1366pF @ 16V
Puissance - Max	3.1W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package de l'appareil fournisseur	8-TSSOP

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