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TPC8207(TE12L,Q)

Référence fabricant:	TPC8207(TE12L,Q)
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description:	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
Feuilles de données:	TPC8207(TE12L,Q) Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	Logic Level Gate
Vidange à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 4.8A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2010pF @ 10V
Puissance - Max	450mW
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Package de l'appareil fournisseur	8-SOP (5.5x6.0)

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