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SQJ202EP-T1_GE3

Référence fabricant:	SQJ202EP-T1_GE3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
Feuilles de données:	SQJ202EP-T1_GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	Standard
Vidange à la tension de source (Vdss)	12V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	20A, 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	975pF @ 6V
Puissance - Max	27W, 48W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	PowerPAK® SO-8 Dual
Package de l'appareil fournisseur	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

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