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HP8S36TB

Référence fabricant:	HP8S36TB
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
Feuilles de données:	HP8S36TB Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET	-
Vidange à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	27A, 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6100pF @ 15V
Puissance - Max	29W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Package de l'appareil fournisseur	8-HSOP

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