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SI4569DY-T1-GE3

Référence fabricant:	SI4569DY-T1-GE3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
Feuilles de données:	SI4569DY-T1-GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N and P-Channel
Fonction FET	Standard
Vidange à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	7.6A, 7.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	855pF @ 20V
Puissance - Max	3.1W, 3.2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de l'appareil fournisseur	8-SO

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