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IPG16N10S4L61AATMA1

Référence fabricant:	IPG16N10S4L61AATMA1
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Feuilles de données:	IPG16N10S4L61AATMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	Logic Level Gate
Vidange à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	61mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 90µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	845pF @ 25V
Puissance - Max	29W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount, Wettable Flank
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Package de l'appareil fournisseur	PG-TDSON-8-10

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