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SI6562CDQ-T1-GE3

Référence fabricant:	SI6562CDQ-T1-GE3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
Feuilles de données:	SI6562CDQ-T1-GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N and P-Channel
Fonction FET	Logic Level Gate
Vidange à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	6.7A, 6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 10V
Puissance - Max	1.6W, 1.7W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package de l'appareil fournisseur	8-TSSOP

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