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BSG0810NDIATMA1

Référence fabricant:	BSG0810NDIATMA1
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Feuilles de données:	BSG0810NDIATMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	OptiMOS™
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonction FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vidange à la tension de source (Vdss)	25V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	19A, 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1040pF @ 12V
Puissance - Max	2.5W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 155°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Package de l'appareil fournisseur	PG-TISON-8

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