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Rochester Electronics / IRFH4251DTRPBF

IRFH4251DTRPBF

Référence fabricant: IRFH4251DTRPBF
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: HEXFET POWER MOSFET
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesFASTIRFET™
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de FET2 N-Channel (Dual), Schottky
Fonction FETLogic Level Gate
Vidange à la tension de source (Vdss)25V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C64A, 188A
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1314pF @ 13V
Puissance - Max31W, 63W
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisse8-PowerVDFN
Package de l'appareil fournisseurPG-TISON-8
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