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BSO612CVGHUMA1

Référence fabricant:	BSO612CVGHUMA1
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	3A, 60V, 0.12OHM, 2-ELEMENT, N-
Feuilles de données:	BSO612CVGHUMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	SIPMOS®
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de FET	N and P-Channel
Fonction FET	Standard
Vidange à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	3A (Ta), 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 3A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 20µA, 4V @ 450µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	15.5nC, 16nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	340pF, 400pF @ 25V
Puissance - Max	2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de l'appareil fournisseur	PG-DSO-8

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