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Vishay / Siliconix / SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

Référence fabricant: SQJ570EP-T1_GE3
Fabricant: Vishay / Siliconix
Partie de la description: MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
Feuilles de données: SQJ570EP-T1_GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
SériesAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN and P-Channel
Fonction FETStandard
Vidange à la tension de source (Vdss)100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C15A (Tc), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Puissance - Max27W
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / caissePowerPAK® SO-8 Dual
Package de l'appareil fournisseurPowerPAK® SO-8 Dual
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État des stocks: 2755

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