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Rochester Electronics / FDS3601

FDS3601

Référence fabricant: FDS3601
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Feuilles de données: FDS3601 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesPowerTrench®
PaquetBulk
État de la pièceObsolete
Type de FET2 N-Channel (Dual)
Fonction FETLogic Level Gate
Vidange à la tension de source (Vdss)100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds153pF @ 50V
Puissance - Max900mW
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de l'appareil fournisseur8-SOIC
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État des stocks: 56702

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