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Vishay / Siliconix / SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3

Référence fabricant: SQJB80EP-T1_GE3
Fabricant: Vishay / Siliconix
Partie de la description: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
Feuilles de données: SQJB80EP-T1_GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FET2 N-Channel (Dual)
Fonction FETStandard
Vidange à la tension de source (Vdss)80V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 25V
Puissance - Max48W
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / caissePowerPAK® SO-8 Dual
Package de l'appareil fournisseurPowerPAK® SO-8 Dual
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