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FF8MR12W2M1B11BOMA1

Référence fabricant:	FF8MR12W2M1B11BOMA1
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Feuilles de données:	FF8MR12W2M1B11BOMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	CoolSiC™+
Paquet	Tray
État de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	Silicon Carbide (SiC)
Vidange à la tension de source (Vdss)	1200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	150A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Vgs (th) (Max) @ Id	5.55V @ 60mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	372nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	11000pF @ 800V
Puissance - Max	20mW (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Module
Package de l'appareil fournisseur	AG-EASY2BM-2

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