Vishay / Siliconix / SIZF906ADT-T1-GE3
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SIZF906ADT-T1-GE3
| Référence fabricant: | SIZF906ADT-T1-GE3 |
| Fabricant: | Vishay / Siliconix |
| Partie de la description: | MOSFET DUAL N-CHAN 30V |
| Feuilles de données: | SIZF906ADT-T1-GE3 Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | TrenchFET® Gen IV |
| Paquet | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| État de la pièce | Active |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Fonction FET | Standard |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V, 200nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V |
| Puissance - Max | 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
| Package de l'appareil fournisseur | 8-PowerPair® (6x5) |
État des stocks: 29
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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Calcul du fret
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