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QS8M12TCR

Référence fabricant:	QS8M12TCR
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Feuilles de données:	QS8M12TCR Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	N and P-Channel
Fonction FET	Logic Level Gate
Vidange à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.4nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 10V
Puissance - Max	1.5W
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SMD, Flat Lead
Package de l'appareil fournisseur	TSMT8

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