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SI5519DU-T1-GE3

Référence fabricant:	SI5519DU-T1-GE3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs
Feuilles de données:	SI5519DU-T1-GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N and P-Channel
Fonction FET	Standard
Vidange à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 6.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	17.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 10V
Puissance - Max	10.4W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	PowerPAK® ChipFET™ Dual
Package de l'appareil fournisseur	PowerPAK® ChipFet Dual

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