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Vishay / Siliconix / SI9926CDY-T1-GE3

SI9926CDY-T1-GE3

Référence fabricant: SI9926CDY-T1-GE3
Fabricant: Vishay / Siliconix
Partie de la description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
Feuilles de données: SI9926CDY-T1-GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
SériesTrenchFET®
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FET2 N-Channel (Dual)
Fonction FETLogic Level Gate
Vidange à la tension de source (Vdss)20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 10V
Puissance - Max3.1W
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de l'appareil fournisseur8-SO
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