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SIS932EDN-T1-GE3

Référence fabricant:	SIS932EDN-T1-GE3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
Feuilles de données:	SIS932EDN-T1-GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	Standard
Vidange à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 15V
Puissance - Max	2.6W (Ta), 23W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	PowerPAK® 1212-8 Dual
Package de l'appareil fournisseur	PowerPAK® 1212-8 Dual

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