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IR (Infineon Technologies) / IRF7351PBF

IRF7351PBF

Référence fabricant: IRF7351PBF
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
Feuilles de données: IRF7351PBF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesHEXFET®
PaquetTube
État de la pièceDiscontinued at Digi-Key
Type de FET2 N-Channel (Dual)
Fonction FETLogic Level Gate
Vidange à la tension de source (Vdss)60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs17.8mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1330pF @ 30V
Puissance - Max2W
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de l'appareil fournisseur8-SO
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