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SI4650DY-T1-E3

Référence fabricant:	SI4650DY-T1-E3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Feuilles de données:	SI4650DY-T1-E3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET	Standard
Vidange à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1550pF @ 15V
Puissance - Max	3.1W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de l'appareil fournisseur	8-SO

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