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IR (Infineon Technologies) / IPG20N10S4L35ATMA1
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IPG20N10S4L35ATMA1
| Référence fabricant: | IPG20N10S4L35ATMA1 |
| Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
| Partie de la description: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Feuilles de données: | IPG20N10S4L35ATMA1 Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
- IR (Infineon Technologies) IPG20N10S4L35ATMA1 est disponible sur chipnets.com. Nous ne vendons que des pièces neuves et originales et offrons une garantie d'un an. Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un meilleur prix, veuillez nous contacter, cliquez sur le chat en ligne ou envoyez-nous un devis.
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Paquet | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| État de la pièce | Active |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Logic Level Gate |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 16µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17.4nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1105pF @ 25V |
| Puissance - Max | 43W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
| Package de l'appareil fournisseur | PG-TDSON-8-4 |
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| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
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