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CSD86356Q5D

Référence fabricant:	CSD86356Q5D
Fabricant:	Texas Instruments
Partie de la description:	25V POWERBLOCK N CH MOSFET
Feuilles de données:	CSD86356Q5D Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	NexFET™
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET	Logic Level Gate, 5V Drive
Vidange à la tension de source (Vdss)	25V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
Puissance - Max	12W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Package de l'appareil fournisseur	8-VSON-CLIP (5x6)

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