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ROHM Semiconductor / SH8KA2GZETB

SH8KA2GZETB

Référence fabricant: SH8KA2GZETB
Fabricant: ROHM Semiconductor
Partie de la description: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Feuilles de données: SH8KA2GZETB Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FET2 N-Channel (Dual)
Fonction FET-
Vidange à la tension de source (Vdss)30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 15V
Puissance - Max2.8W
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de l'appareil fournisseur8-SOP
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État des stocks: 1846

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