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SI3529DV-T1-E3

Référence fabricant:	SI3529DV-T1-E3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Feuilles de données:	SI3529DV-T1-E3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N and P-Channel
Fonction FET	Logic Level Gate
Vidange à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	2.5A, 1.95A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	205pF @ 20V
Puissance - Max	1.4W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de l'appareil fournisseur	6-TSOP

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