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2N2609

Référence fabricant:	2N2609
Fabricant:	Roving Networks / Microchip Technology
Partie de la description:	JFETS
Feuilles de données:	2N2609 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bag
État de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS)	30 V
Vidange à la tension de source (Vdss)	-
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	2 mA @ 5 V
Drain de courant (Id) - Max	10 mA
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id	750 mV @ 1 A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10pF @ 5V
Résistance - RDS (activé)	-
Puissance - Max	300 mW
Température de fonctionnement	-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Package de l'appareil fournisseur	TO-18 (TO-206AA)

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Modèles populaires

	2N2608 Central Semiconductor
	2N2609 Roving Networks / Microchip Technology

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