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2SK879-Y(TE85L,F)

Référence fabricant:	2SK879-Y(TE85L,F)
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description:	JFET N-CH 0.1W USM
Feuilles de données:	2SK879-Y(TE85L,F) Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS)	-
Vidange à la tension de source (Vdss)	-
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	1.2 mA @ 10 V
Drain de courant (Id) - Max	-
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id	400 mV @ 100 nA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8.2pF @ 10V
Résistance - RDS (activé)	-
Puissance - Max	100 mW
Température de fonctionnement	125°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	SC-70, SOT-323
Package de l'appareil fournisseur	USM

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